Transistor BJT en Commutation et Commande de Thyristor
Contexte : Les semi-conducteurs de puissance.
En électronique de puissance, la capacité à contrôler le passage du courant est fondamentale. Le Transistor Bipolaire (BJT)Un dispositif semi-conducteur à trois couches (NPN ou PNP) qui amplifie le courant ou fonctionne comme un interrupteur électronique. et le Thyristor (SCR)Un semi-conducteur de puissance à quatre couches qui agit comme un interrupteur bistable, passant d'un état bloqué à un état conducteur. sont deux composants essentiels pour cette tâche. Le BJT est souvent utilisé comme un interrupteur commandé par un petit courant de base, idéal pour les applications en basse tension. Le thyristor, quant à lui, est un "interrupteur verrouillable" capable de contrôler de très fortes puissances, notamment en courant alternatif. Cet exercice explore le dimensionnement de base de ces deux composants dans des applications typiques.
Remarque Pédagogique : Cet exercice vous apprendra à dimensionner les résistances de commande pour un BJT en mode saturé (interrupteur fermé) et pour l'amorçage d'un thyristor, deux compétences clés en conception électronique.
Objectifs Pédagogiques
- Calculer la résistance de collecteur pour une charge donnée.
- Déterminer le courant de base minimal pour garantir la saturation d'un transistor BJT.
- Appliquer un facteur de sécurité pour fiabiliser la commande.
- Calculer la résistance de base (\(R_B\)) en fonction d'une tension de commande.
- Dimensionner la résistance de gâchette (\(R_G\)) pour l'amorçage d'un thyristor.
Données de l'étude
Partie 1 : BJT en Commutation
On souhaite utiliser un transistor NPN 2N2222 pour allumer une LED rouge.
Schéma du circuit de commande de la LED
| Caractéristique | Symbole | Valeur |
|---|---|---|
| Tension d'alimentation | \(V_{CC}\) | 12 V |
| Tension de commande | \(V_{CMD}\) | 5 V |
| Tension de seuil de la LED | \(V_f\) | 1.8 V |
| Courant de la LED | \(I_{\text{LED}}\) | 20 mA |
| Tension Collecteur-Émetteur saturé | \(V_{CE,sat}\) | 0.2 V |
| Tension Base-Émetteur saturé | \(V_{BE,sat}\) | 0.7 V |
| Gain en courant minimum | \(\beta_{\text{min}}\) | 100 |
Partie 2 : Commande de Thyristor
On utilise un thyristor pour commander une charge résistive (lampe) alimentée en courant alternatif.
Schéma du circuit de commande de la lampe
| Caractéristique | Symbole | Valeur |
|---|---|---|
| Tension de la source de commande | \(V_G\) | 10 V |
| Tension de gâchette minimale | \(V_{GT}\) | 0.8 V |
| Courant de gâchette minimal | \(I_{GT}\) | 15 mA |
Questions à traiter
- (Partie 1) Calculer la valeur de la résistance de collecteur \(R_C\).
- (Partie 1) Calculer le courant de base minimal \(I_{B,min}\) pour saturer le transistor.
- (Partie 1) En appliquant un facteur de sécurité de 2, quel sera le courant de base de travail \(I_B\) ?
- (Partie 1) Calculer la valeur de la résistance de base \(R_B\) nécessaire.
- (Partie 2) Calculer la valeur maximale de la résistance de gâchette \(R_G\) qui garantit l'amorçage du thyristor.
Les bases sur les BJT et Thyristors
1. Transistor BJT en Commutation (Mode Saturé)
Pour utiliser un BJT comme un interrupteur fermé, on doit le polariser en mode "saturé". Dans ce mode, la jonction base-collecteur devient passante et la tension \(V_{CE}\) chute à une valeur très faible, notée \(V_{CE,sat}\). Le courant de collecteur \(I_C\) est alors principalement déterminé par le circuit externe et non plus par le gain \(\beta\). La condition de saturation est :
\[ I_B > \frac{I_{C,\text{sat}}}{\beta} \]
Où \(I_{C,\text{sat}}\) est le courant de collecteur que l'on souhaite faire passer, et \(I_B\) est le courant que l'on injecte dans la base.
2. Amorçage du Thyristor (SCR)
Un thyristor est un interrupteur unidirectionnel qui possède trois états : bloqué, conducteur et bloqué inverse. Pour le faire passer de l'état bloqué à l'état conducteur (amorçage), il faut que sa tension Anode-Kathode (\(V_{AK}\)) soit positive et qu'une impulsion de courant suffisante soit appliquée sur sa gâchette (G). Les conditions minimales pour un amorçage certain sont définies par le fabricant :
- Tension de gâchette minimale : \(V_{\text{GT}}\)
- Courant de gâchette minimal : \(I_{\text{GT}}\)
Correction : Transistor BJT en Commutation et Commande de Thyristor
Question 1 : Calculer la valeur de la résistance de collecteur \(R_C\).
Principe (le concept physique)
La résistance \(R_C\) a pour rôle de limiter le courant qui traverse la LED à la valeur souhaitée (20 mA) lorsque le transistor est passant (saturé). C'est une application directe de la loi d'Ohm dans une maille électrique simple, en tenant compte des chutes de tension de chaque composant.
Mini-Cours (approfondissement théorique)
Loi des mailles de Kirchhoff : Dans n'importe quelle boucle fermée (maille) d'un circuit, la somme algébrique des tensions est nulle. Autrement dit, la somme des tensions fournies par les sources (ex: \(V_{CC}\)) est égale à la somme des chutes de tension aux bornes des autres composants (résistances, diodes, transistors...). C'est un principe fondamental de conservation de l'énergie.
Remarque Pédagogique (le conseil du professeur)
Pour résoudre ce genre de problème, visualisez toujours le chemin du courant. Ici, le courant part de \(V_{CC}\), traverse \(R_C\), puis la LED, et enfin le transistor (du collecteur à l'émetteur) pour rejoindre la masse. La somme des "obstacles" (chutes de tension) sur ce chemin doit égaler la tension de départ.
Normes (la référence réglementaire)
Bien qu'il n'y ait pas de "norme" au sens strict pour ce calcul, les valeurs des résistances commerciales sont normalisées dans des séries (E6, E12, E24...). Après avoir calculé la valeur théorique (500 \(\Omega\)), il faudrait choisir une valeur existante dans ces séries (ici, 500 \(\Omega\) existe dans la série E24, mais 470 \(\Omega\) ou 510 \(\Omega\) sont plus communs).
Formule(s) (l'outil mathématique)
Loi des mailles
Formule de la résistance du collecteur
Hypothèses (le cadre du calcul)
- La source de tension \(V_{CC}\) est considérée comme parfaite (sa tension ne chute pas avec le courant).
- Le transistor est parfaitement saturé, donc \(V_{CE} = V_{CE,sat} = 0.2\) V.
- Les caractéristiques de la LED (\(V_f\), \(I_{LED}\)) sont stables et correspondent aux valeurs de l'énoncé.
Donnée(s) (les chiffres d'entrée)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension d'alimentation | \(V_{CC}\) | 12 | V |
| Tension de seuil LED | \(V_f\) | 1.8 | V |
| Tension de saturation | \(V_{CE,sat}\) | 0.2 | V |
| Courant LED | \(I_{\text{LED}}\) | 20 | mA |
Astuces (Pour aller plus vite)
On peut regrouper les chutes de tension "fixes" : la LED (1.8V) et le transistor saturé (0.2V) créent une chute de tension totale de 2.0V. Le calcul devient alors plus rapide : la résistance doit "consommer" le reste, soit \(12\text{V} - 2\text{V} = 10\text{V}\). Puis \(R = 10\text{V} / 0.02\text{A} = 500\,\Omega\).
Schéma (Avant les calculs)
Circuit de commande de la LED
Calcul(s) (l'application numérique)
Conversion du courant de la LED
Calcul de la résistance \(R_C\)
Schéma (Après les calculs)
Circuit avec valeur de Rc calculée
Réflexions (l'interprétation du résultat)
Une résistance de 500 \(\Omega\) est nécessaire pour fixer le courant à 20 mA. Si on choisissait une résistance plus faible (ex: 470 \(\Omega\)), le courant serait légèrement plus élevé, ce qui pourrait réduire la durée de vie de la LED. Si on choisissait une résistance plus forte (ex: 510 \(\Omega\)), la LED serait un peu moins lumineuse.
Points de vigilance (les erreurs à éviter)
L'erreur la plus commune est d'oublier de prendre en compte toutes les chutes de tension dans la maille, en particulier \(V_{CE,sat}\). Oublier \(V_{CE,sat}\) mènerait à un calcul de \(R_C = (12-1.8)/0.02 = 510\,\Omega\), une valeur légèrement incorrecte. L'autre piège classique est l'erreur de conversion des milliampères en ampères.
Points à retenir (permettre a l'apprenant de maitriser la question)
Pour dimensionner une résistance de limitation de courant dans une maille, il faut toujours :
- Identifier la tension totale de la source.
- Soustraire toutes les autres chutes de tension fixes dans la maille.
- Appliquer la loi d'Ohm (\(R=V/I\)) avec le courant désiré.
Le saviez-vous ? (la culture de l'ingénieur)
La première LED émettant de la lumière visible (rouge) a été inventée par Nick Holonyak Jr. en 1962 chez General Electric. On pensait à l'époque que les LED ne pourraient jamais produire de lumière bleue, un "verrou" technologique qui n'a été levé que dans les années 90, ouvrant la voie à l'éclairage LED blanc que nous connaissons aujourd'hui.
FAQ (pour lever les doutes)
Résultat Final (la conclusion chiffrée)
A vous de jouer (pour verifier la comprehension de l'etudiant par rapport a la question)
Recalculez \(R_C\) si la source d'alimentation était de 9V au lieu de 12V. Entrez votre réponse en \(\Omega\).
Question 2 : Calculer le courant de base minimal \(I_{B,min}\) pour saturer le transistor.
Principe (le concept physique)
Le transistor BJT fonctionne comme un amplificateur de courant. Un petit courant injecté dans la base (\(I_B\)) permet de contrôler un courant beaucoup plus grand dans le collecteur (\(I_C\)). Pour que le transistor agisse comme un interrupteur fermé (saturé), il faut fournir *au moins* assez de courant de base pour permettre au courant de collecteur désiré de circuler.
Mini-Cours (approfondissement théorique)
Le gain en courant, noté \(\beta\) (ou \(h_{FE}\)), est le rapport \(I_C / I_B\). Pour être en saturation, le transistor a besoin d'un courant de base \(I_B\) tel que \(\beta \times I_B > I_{C,\text{sat}}\). La condition limite, ou minimale, est donc atteinte lorsque \(I_{B,\text{min}} = I_{C,\text{sat}} / \beta\). Comme le \(\beta\) varie, on utilise toujours la valeur la plus pessimiste (la plus faible) garantie par le fabricant, \(\beta_{\text{min}}\).
Remarque Pédagogique (le conseil du professeur)
Imaginez que vous devez ouvrir une porte lourde (le courant \(I_C\)). Le gain \(\beta\) est votre force. Si votre force est variable, vous devez considérer votre "mauvais jour" (votre force minimale, \(\beta_{min}\)) pour être sûr de pouvoir toujours ouvrir la porte. C'est la même logique ici.
Normes (la référence réglementaire)
Les caractéristiques d'un transistor, comme le \(\beta_{\text{min}}\) et le \(V_{CE,\text{sat}}\), sont définies dans sa fiche technique (datasheet), publiée par le fabricant (par ex. NXP, onsemi). Ces fiches sont la référence absolue pour le dimensionnement.
Formule(s) (l'outil mathématique)
Formule du courant de base minimal
Hypothèses (le cadre du calcul)
- Le courant de collecteur de saturation \(I_{C,\text{sat}}\) est égal au courant que nous souhaitons dans la LED, soit 20 mA.
- Le gain du transistor est au minimum de sa valeur spécifiée, \(\beta_{\text{min}} = 100\).
Donnée(s) (les chiffres d'entrée)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Courant collecteur de saturation | \(I_{C,\text{sat}}\) | 20 | mA |
| Gain en courant minimum | \(\beta_{\text{min}}\) | 100 |
Schéma (Avant les calculs)
Circuit de commande de la LED
Calcul(s) (l'application numérique)
Calcul du courant de base minimal
Schéma (Après les calculs)
Visualisation des courants de saturation
Réflexions (l'interprétation du résultat)
Il suffit de 0.2 mA dans la base pour contrôler un courant 100 fois plus grand (20 mA) dans le collecteur. C'est l'essence même de l'effet transistor. C'est un courant très faible, facile à fournir par la sortie d'un microcontrôleur ou d'un circuit logique.
Points de vigilance (les erreurs à éviter)
L'erreur principale serait d'utiliser un gain "typique" (souvent bien plus élevé que 100) trouvé dans une datasheet au lieu du gain *minimum garanti*. Cela pourrait fonctionner sur votre prototype, mais échouer sur un autre transistor de la même référence qui aurait un gain plus faible.
Points à retenir (permettre a l'apprenant de maitriser la question)
La saturation d'un BJT est assurée en fournissant un courant de base supérieur à \(I_C / \beta_{\text{min}}\). Cette formule est fondamentale pour la conception de circuits de commutation fiables.
Le saviez-vous ? (la culture de l'ingénieur)
Le transistor bipolaire a été inventé en 1947 aux Bell Labs par John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, ce qui leur a valu le prix Nobel de physique en 1956. Cette invention est sans doute la plus importante du 20ème siècle, car elle a rendu possible toute l'électronique moderne.
FAQ (pour lever les doutes)
Résultat Final (la conclusion chiffrée)
A vous de jouer (pour verifier la comprehension de l'etudiant par rapport a la question)
Calculez \(I_{B,min}\) si on utilisait un transistor de puissance avec un \(\beta_{min}\) de 25. Entrez votre réponse en mA.
Question 3 : En appliquant un facteur de sécurité de 2, quel sera le courant de base de travail \(I_B\) ?
Principe (le concept physique)
En ingénierie, on ne dimensionne jamais un système pour qu'il fonctionne "juste à la limite". On prend une marge de sécurité pour s'assurer qu'il fonctionnera de manière fiable dans toutes les conditions. Pour la saturation d'un transistor, cela signifie injecter un courant de base volontairement supérieur au minimum requis.
Mini-Cours (approfondissement théorique)
Le "facteur de sur-saturation" (ici appelé facteur de sécurité) est un nombre sans unité (généralement entre 2 et 10) par lequel on multiplie \(I_{B,\text{min}}\). Fournir plus de courant que nécessaire ne change pas le courant de collecteur (qui est fixé par \(R_C\)), mais cela enfonce plus profondément le transistor en saturation, ce qui diminue légèrement le \(V_{CE,sat}\) et accélère la vitesse de commutation.
Remarque Pédagogique (le conseil du professeur)
Choisir un facteur de sécurité est un compromis. Un facteur trop faible (proche de 1) rend le circuit sensible aux variations. Un facteur trop élevé (ex: 20) gaspille de l'énergie dans le circuit de commande et peut ralentir le blocage du transistor. Un facteur de 2 à 5 est un excellent point de départ pour la plupart des applications.
Normes (la référence réglementaire)
Il n'y a pas de norme "officielle" pour le facteur de sécurité, c'est une règle de conception ("rule of thumb") basée sur l'expérience et les exigences de l'application (vitesse, fiabilité, consommation...).
Formule(s) (l'outil mathématique)
Formule du courant de base de travail
Donnée(s) (les chiffres d'entrée)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Courant de base minimal | \(I_{B,\text{min}}\) | 0.2 | mA |
| Facteur de Sécurité | FS | 2 |
Schéma (Avant les calculs)
Visualisation du courant de base minimal requis
Calcul(s) (l'application numérique)
Calcul du courant de base de travail
Schéma (Après les calculs)
Visualisation du courant de base de travail
Réflexions (l'interprétation du résultat)
Nous allons donc viser un courant de 0.4 mA dans la base. C'est ce courant qui va nous permettre de calculer la résistance de base \(R_B\) à la question suivante. Ce courant est deux fois plus grand que le strict nécessaire, ce qui rend notre montage très fiable.
Résultat Final (la conclusion chiffrée)
A vous de jouer (pour verifier la comprehension de l'etudiant par rapport a la question)
Quel serait le courant de travail \(I_B\) (en mA) avec un facteur de sécurité de 5 ?
Question 4 : Calculer la valeur de la résistance de base \(R_B\) nécessaire.
Principe (le concept physique)
De la même manière que \(R_C\) limitait le courant dans le collecteur, \(R_B\) va limiter le courant dans la base. En connaissant la tension de commande (\(V_{CMD}\)) et la chute de tension de la jonction base-émetteur (\(V_{BE,sat}\)), on peut utiliser la loi d'Ohm pour trouver la résistance qui laissera passer exactement notre courant de travail \(I_B\).
Mini-Cours (approfondissement théorique)
La jonction base-émetteur d'un transistor BJT se comporte comme une diode. Lorsqu'elle est passante, elle présente une chute de tension quasi constante, notée \(V_{BE}\). En mode saturé, cette tension est notée \(V_{BE,sat}\) et vaut typiquement 0.7V pour un transistor au silicium. C'est cette tension qu'il faut "vaincre" avant que le courant puisse circuler dans la base.
Normes (la référence réglementaire)
Le choix final de la résistance se fera dans une série de valeurs normalisées (E12, E24, etc.). On choisit généralement la valeur normalisée la plus proche et inférieure à la valeur calculée, pour garantir que le courant sera au moins égal à la valeur de travail visée.
Formule(s) (l'outil mathématique)
Formule de la résistance de base
Donnée(s) (les chiffres d'entrée)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension de commande | \(V_{CMD}\) | 5 | V |
| Tension Base-Émetteur | \(V_{BE,sat}\) | 0.7 | V |
| Courant de base de travail | \(I_{B}\) | 0.4 | mA |
Schéma (Avant les calculs)
Circuit de commande de la LED
Calcul(s) (l'application numérique)
Conversion du courant de base
Calcul de la résistance \(R_B\)
Schéma (Après les calculs)
Circuit final avec valeur de Rb choisie
Réflexions (l'interprétation du résultat)
La valeur calculée est 10.75 k\(\Omega\). Cette valeur n'étant pas standard, on choisirait la valeur normalisée immédiatement inférieure pour garantir un courant suffisant, soit 10 k\(\Omega\) dans la série E24. Avec 10 k\(\Omega\), le courant de base réel serait de \(4.3\text{V} / 10000\Omega = 0.43\)mA, ce qui est bien supérieur au minimum requis.
Points de vigilance (les erreurs à éviter)
Ne pas oublier de soustraire la tension \(V_{BE,sat}\) de la tension de commande est une erreur fréquente. Si on l'oublie, on calcule \(R_B = 5\text{V} / 0.0004\text{A} = 12.5\text{k}\Omega\). En choisissant 12k\(\Omega\), le courant de base réel serait plus faible que prévu, risquant de ne pas saturer correctement le transistor.
Le saviez-vous ? (la culture de l'ingénieur)
Les résistances commerciales sont marquées d'anneaux de couleur qui permettent d'identifier leur valeur et leur tolérance. Pour 10 k\(\Omega\) à 5% de tolérance, le code couleur est Marron (1), Noir (0), Orange (x10³), Or (\(\pm\)5%).
FAQ (pour lever les doutes)
Résultat Final (la conclusion chiffrée)
A vous de jouer (pour verifier la comprehension de l'etudiant par rapport a la question)
Calculez \(R_B\) si la tension de commande \(V_{CMD}\) était de 3.3V (typique d'un Raspberry Pi). Entrez votre réponse en \(\Omega\).
Question 5 : Calculer la valeur maximale de la résistance de gâchette \(R_G\) qui garantit l'amorçage du thyristor.
Principe (le concept physique)
Pour amorcer (allumer) un thyristor, il faut appliquer une impulsion sur sa gâchette qui respecte deux conditions minimales données par le fabricant : une tension (\(V_{GT}\)) et un courant (\(I_{GT}\)). La résistance \(R_G\) doit être dimensionnée pour garantir que, lorsque la tension de commande \(V_G\) est appliquée, le courant \(I_{GT}\) puisse circuler tout en maintenant la tension \(V_{GT}\) aux bornes de la gâchette.
Mini-Cours (approfondissement théorique)
La maille de commande de la gâchette est un simple circuit série composé de la source \(V_G\), de la résistance \(R_G\) et de la jonction gâchette-cathode du thyristor. Cette jonction se comporte un peu comme une diode avec une chute de tension \(V_{GT}\). On calcule donc la valeur maximale de \(R_G\) qui laissera passer juste le courant minimal \(I_{GT}\). Toute résistance plus élevée limiterait trop le courant, et l'amorçage ne serait plus garanti.
Remarque Pédagogique (le conseil du professeur)
Contrairement au transistor où l'on calcule \(R_B\) pour un courant de travail *supérieur* au minimum, ici on calcule la résistance *maximale* admissible. C'est un changement de perspective. Le but est de s'assurer que notre résistance sera toujours *inférieure* à cette limite critique.
Formule(s) (l'outil mathématique)
Formule de la résistance de gâchette maximale
Donnée(s) (les chiffres d'entrée)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension de commande | \(V_G\) | 10 | V |
| Tension gâchette minimale | \(V_{\text{GT}}\) | 0.8 | V |
| Courant gâchette minimal | \(I_{\text{GT}}\) | 15 | mA |
Schéma (Avant les calculs)
Circuit de commande du thyristor
Calcul(s) (l'application numérique)
Conversion du courant de gâchette
Calcul de la résistance \(R_{G,max}\)
Schéma (Après les calculs)
Circuit de commande avec valeur de Rg choisie
Réflexions (l'interprétation du résultat)
La résistance de gâchette ne doit pas dépasser 613.3 \(\Omega\). Pour être en sécurité et avoir une marge, un ingénieur choisirait une valeur normalisée significativement plus faible, comme 560 \(\Omega\) ou 470 \(\Omega\). Cela fournirait un courant de gâchette supérieur au minimum, garantissant un amorçage rapide et fiable.
Points de vigilance (les erreurs à éviter)
Il ne faut pas oublier la chute de tension \(V_{GT}\). Une erreur commune serait de calculer \(R_G = V_G / I_{GT} = 10 / 0.015 \approx 667 \Omega\). Choisir une résistance de 620 \(\Omega\) sur la base de ce mauvais calcul pourrait empêcher le circuit de fonctionner car le courant réel serait alors inférieur à \(I_{GT}\).
Le saviez-vous ? (la culture de l'ingénieur)
Les thyristors sont au cœur des gradateurs de lumière (dimmers) que l'on trouve dans nos maisons. En retardant l'impulsion d'amorçage sur la gâchette par rapport au début de chaque alternance du courant secteur, on peut "découper" l'onde sinusoïdale et ainsi contrôler la puissance moyenne envoyée à l'ampoule, faisant varier sa luminosité.
Résultat Final (la conclusion chiffrée)
A vous de jouer (pour verifier la comprehension de l'etudiant par rapport a la question)
Quelle serait la résistance maximale \(R_G\) (en \(\Omega\)) si la tension de commande \(V_G\) n'était que de 5V ?
Outil Interactif : Calcul de \(R_B\) pour BJT
Utilisez ce simulateur pour voir comment la tension de commande et le courant collecteur désiré influencent la valeur de la résistance de base (\(R_B\)) nécessaire pour saturer un transistor.
Paramètres d'Entrée
(Avec \(\beta_{min}=100\), \(V_{BE,sat}=0.7V\), Facteur Sécurité=2)
Résultats Calculés
Quiz Final : Testez vos connaissances
1. Quel est l'objectif principal de la polarisation d'un transistor BJT en mode "saturé" dans un circuit de commutation ?
2. Pourquoi utilise-t-on le \(\beta_{min}\) et un facteur de sécurité pour calculer le courant de base \(I_B\) ?
3. Que se passe-t-il si la commande de gâchette d'un thyristor est retirée alors qu'il est déjà conducteur et que le courant d'anode est élevé ?
4. Dans le calcul de \(R_C\) pour la LED, pourquoi soustrait-on \(V_f\) et \(V_{CE,sat}\) de \(V_{CC}\) ?
- Transistor Bipolaire (BJT)
- Un dispositif semi-conducteur commandé par courant, utilisé pour l'amplification ou la commutation. Il possède trois bornes : Base, Collecteur et Émetteur.
- Thyristor (SCR - Silicon Controlled Rectifier)
- Un composant de puissance qui agit comme un interrupteur verrouillable. Une fois amorcé par une impulsion sur la gâchette, il reste passant tant que le courant le traversant est suffisant.
- Saturation (Mode)
- Le régime de fonctionnement d'un transistor BJT où il se comporte comme un interrupteur fermé, avec une tension \(V_{CE}\) très faible (\(V_{CE,sat}\)).
- Amorçage (Triggering)
- L'action de faire passer un thyristor de son état bloqué à son état conducteur en appliquant un signal sur sa gâchette.
D’autres exercices d’électricité :
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